本文最后更新于 2024-06-26，文章内容可能已经过时。

1、电阻的参数

1-1、电阻阻值

常用电阻阻值表

1-2、电阻丝印

封装0603 以上的电阻（包含0603）在表面都印有丝印。
丝印展示出了2 层意义：阻值大小和精度。
常用电阻丝印一般有这几种情况：
1）带有三位或者四位数字的丝印
2）带有字母“R”的丝印
3）带有数字和R 之外字母的丝印

1-2-1、三位或者四位数字的丝印

三位数字表示5%精度的，四位数字表示1%精度的，前面几位表示数值，最后一位表示10 的x 次方。
例1：丝印为“103”，则： $R= 10 * 10^3= 10𝐾$ ，5%精度
例2：丝印为“1003”，则： $R = 100 * 10^3 = 100𝐾$ ，1%精度

1-2-2、带有字母“R”的丝印

带字母”R”的电阻一般阻值较小，精度多为1%，不过也不绝对，可以把R 看作是小数点，前边的数字
为有效值。
例：丝印为“22R0”，将R 看作小数点，前面的22 表示有效值，读数为22.0Ω，即精度为22Ω的1%
精度电阻。

1-2-3、带有数字和R之外字母的丝印

这种电阻丝印在0603 封装中比较常见，精度为1%，与之对应的标准为E-96。
E-96 规定：用两位数字加一个字母作为丝印，实际阻值可以通过查表来获取，两位数字表明了电阻
数值，字母表明了10 的x 次方，也需要查表。
例：丝印为“88A”，从下表知，“88”代表8.06，A 代表102，即阻值： $8.06 * 10^2 = 806Ω$ 。

1-3、电阻精度

电阻的精度一般用字母表示：
T：±0.01%
A：±0.05%
B：±0.1%
D：±0.5%
F：±1%
J：±5%
K：±10%
最常用的精度是1%和5%
一般场合使用5%精度，有精度要求的使用1%电阻，比如DCDC，电流采样，特殊要求的根据实际
情况选择更高精度的。

1-4、电阻的封装

封装的命名是根据电阻的实际尺寸来的——英寸单位
例子：
0402 实际尺寸： $1mm*0.5mm$ $0.04 英寸*0.02 英寸$ 0402
常用的电阻封装有：
01005、0201、0402、0603、0805、1206、1210、1218、2010、2512
目前一般电子产品主要用0402，0603 封装的，要求功率高点的用1206 的，手机或者穿戴设备会用
到更小封装，比如01005，0201 等。

1-5、电阻的功率

1-5-1、电阻额定功率与封装

电阻的额定功率主要由封装决定，但也不是绝对的，还跟电阻的工艺（薄膜还是厚膜），品牌，阻值
大小等有一定关系。
如果上网查功率与封装的关系的话，会有一些网友给出功率与封装表格，那并不一定总是正确的，使
用时需要谨慎。
下面列一些厂家的电阻与额定功率的关系表格。

🔔：同一封装，不同品牌的电阻功率可能不同。`

1-5-2、电阻额定功率与温度的关系

需要注意的是，上一小节提供的额定功率是在70℃条件一下的；如果温度超过70℃，其额定功率是
会下降的。
并且，R01005 和R0201 比其它封装电阻的额定功率，随温度升高有下降得更快的趋势。
R01005 和R0201 电阻的工作温度范围是-55℃~125℃，R0402 及其以上工作温度范围为：-55℃
~155℃。
如下图是贴片电阻的负荷（额定功率）下降曲线。

1-6、电阻的额定电压

电阻是有额定耐压值的，不能超过额定耐压值使用。
1、材质相同（厚膜）的额定电压，各品牌相差不大。
2、材质不同，额定电压有差别，薄膜要比厚膜要低。
3、封装越大，额定电压升高。

1-7、电阻的温漂

1-7-1、电阻的温度系数TCR

电阻温度系数（temperature coefficient of resistance 简称TCR）表示电阻当温度改变1 摄氏度时，
电阻值的相对变化，单位为ppm/℃，ppm（part per million）百万分之几。
温度系数= (R-Ra)/Ra ÷ (T-Ta) × 1000000
Ra: 基准温度条件下的阻值
Ta: 基准温度20℃
R: 任意温度条件下的阻值
T: 任意温度
一般常用电阻温度系数的范围为：-200~500ppm/℃

1-7-2、电阻温漂影响

例：100ppm/°C 电阻温度系数的贴片电阻器，从基准温度20°C 到100°C 时的阻値变化率是？
阻值变化率=温差 * 温度系数/100 万=(100-20) * 100/1000000=0.8%

2、0Ω电阻？

2-1、0Ω电阻的作用

1、方便测试电流；
2、兼容设计，跳线；

3、模拟地，数字地分开，单点接地；

4、占个位置，不确定参数代替（可换成其它阻值的电阻，也可换成磁珠）；
5、做电路保护，充当低成本熔丝；
6、在高频信号下，充当电感或电容。（与外部电路特性有关）电感用，主要是解决EMC问题。如地与地，电源和IC Pin间。
7、分割区上的抗干扰。跨接时用于电流回路，当分割电地平面后，造成信号最短回流路径断裂，此时，信号回路不得不绕道，形成很大的环路面积，电场和磁场的影响就变强了，容易干扰/被干扰。在分割区上跨接0欧电阻，可以提供较短的回流路径，减小干扰。
…

2-2、0Ω电阻阻值多大

根据电阻标准文件EN60115-2，0Ω电阻实际最大阻值10mΩ，20mΩ，50mΩ可选，实际查询各个厂
家，普通0Ω电阻的阻值最大可达50mΩ

2-3、0Ω电阻过流能力

需要注意的是，不同厂家的0Ω电阻过流能力并不相同，可从下表看出：

3、电阻的应用

1、分压

分压电路实际上就是电阻的串联电路，具有以下几个特点：

通过各电阻的电流是同一个电流，即电阻中的电流相等 $I_R227=I_R223$ ;
在串联电路中，电阻大的，其两端的电压亚达，电压的分配与电阻的阻值成正比。电阻串联具有分压作用。总电压等于各电阻上的电压降之和 $12V=U_R227+U_R223$ ；
总电阻等于各电阻之和 $R=R227+R223$ ；

2、限流/分流

分流电路实际上是电阻器的并联电路，它有以下几点特点：

各支路的电压等于总电压；
总电流等于各支路电流之和；
总电阻的倒数等于各支路的倒数之和

应用案例

R227、R220电阻分压；
R220电阻起到限流作用，保护器件的工作安全；

3、上下拉

一般说法是上拉增大电流，下拉电阻是用来吸收电流。

上拉电阻： 将一个不确定的信号（高或低电平），通过一个电阻与电源VCC相连，固定在高电平。

下拉电阻： 将一个不确定的信号（高或低电平），通过一个电阻与地GND相连，固定在低电平。

3-1、上拉电阻使用场景

3-1-1、TTL驱动CMOS

当 TTL 电路驱动 COMS 电路时，如果 TTL 电路输出的高电平（一般为 2.4V）低于 COMS 电路的最低高电平（一般为 3.5V），这时就需要在 TTL 的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值（提高到 5V），使 CMOS 有效识别。
电阻R越小，上拉能力越大，但是会增大TTL端的饱和压降，导致TTL输出的低电平很高；
电阻R太大，会延缓TTL输出的上升沿。

3-1-2、OC和OD门

采用 OC 和 OD 门结构的，都需要添加上拉电阻，下图 I2C 是 OD 结构，SDA 和 SCL 信号上都需要加上拉电阻，不加上拉电阻，OC 和 OD 是无法输出高电平的。

3-1-3、低电平中断检测

对于低电平中断触发电路来说，一般在 MCU 的检测端会加一个上拉电阻，当 INT 低电平到来时，MCU_INT_DET 会变为低电平，触发中断。
R1太大，MCU_INT_DET 的上升沿越慢；
R1太小，有可能造成灌电流过大，导致MCU管脚烧坏。

3-1-4、固定电平

例如LDO 电路，高电平使能时，一般会在使能脚 CE 加上拉电阻到 VIN，达到上电 LDO 就有输出的效果。
对于 R1，一般芯片的 SPEC 会给出，最常见的是 10K 和 100K，那你说 47K 行不行，当然也行，要看 LDO CE 管脚的灌电流能力，也就是 5V 加在 R1 上的电流需要小于 CE 管脚最大灌电流，如果太大，CE 脚可能会烧毁。

3-2、下拉电阻使用场景

3-2-1、固定电平

如 NMOS 的控制电路中，一般 G 极加一个下拉电阻，固定低电平，MOS 管的 GS 阻抗很大，容易遭到静电的干扰，导致 GS 之间产生较高电压，使 MOS 管开关状态改变。
对于 R2，MOS 管在关闭状态，流过 R2 的耗流为 0;
MOS 管导通状态；流过 R2 的电流为 $I=Vctrl/R_2$ ;
如果想减小耗流，尽可能提高 R2 的阻值，一般取值 200K，1M 等。

3-2-2、作为放电电阻

有的LDO电路中，也会加入下图所示的R4下拉电阻，叫假负载；LDO关闭时，用于快速泄放C6上的电压，这个和电路的使用场景有相关。加上R4的坏处是，在正常工作时，会增加 $I=3.3/R_4$ 的耗流，现在也有带自放电功能的LDO；
对于R4，阻值越小，放电越快，但是正常工作时，增加的耗流会越大。

3-3、上下拉电阻的其他应用

为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。
在 COMS 芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗，来提供泄荷的通路。
芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。
提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。
长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。

3-4、上下拉电阻阻值的选择原则

从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大；电阻大，电流小。
从确保足够的驱动电流考虑应当足够小；电阻小，电流大。
对于高速电路，过大的上拉电阻可能边沿变平缓。

4、阻抗匹配

由电阻器组成的阻抗匹配衰减器，它接在特性阻抗不同的两个网络中间，可以起到匹配阻抗的作用。匹配器中电阻器的阻值可由下式确定：

即式中，Z1 和 Z2 为网络1和网络2的阻抗，它们分别为 300Ω 和 75Ω。将它们代入上面两个公式中，则求得 R1=259.8Ω，R2=86.6Ω。
阻抗匹配：严格来讲，当高速电路中，信号再传输介质上的传输时间大于信号上升沿或者下降沿的1/4时，该传输介质就需要阻抗匹配。

源端阻抗：一般传输线的阻抗为50Ω左右，而TTL电路输出电阻大概为13Ω左右，在源端串联一个33Ω的电阻，13+33=46Ω大致和50Ω相当，这样就可以抑制从终端反射回来的信号再次反射。
==需要说明的是，匹配电阻不一定都是33欧，从几Ω到几十Ω都有，具体试情况而定==
终端阻抗：若信号接收端的输入阻抗很大，可以并接一个51Ω的电阻，电阻另一端接参考地，以抑制信号终端反射。信号接收端接串阻，那只能是终端输入阻抗小于50Ω。但IC设计时，考虑到接收能量，不会将接收端的输入阻抗设计的小。这也是为什么驱动器端加串阻，而接收端一般不加串阻的原因，终端开路的情况下反射系数为1。
阻抗匹配电阻在接口防护范围还有一个重要作用就是防止ESD。比如USB等